一、傳感器自身設(shè)計與制造因素

 

核心元件精度

 

磁芯材料：如坡莫合金、納米晶等磁芯的磁導(dǎo)率、飽和磁通密度及磁滯損耗，會影響感應(yīng)信號的線性度。例如，納米晶磁芯在高頻下?lián)p耗低，精度更高。

 

繞組匝數(shù)與繞制工藝：匝數(shù)誤差會直接導(dǎo)致變比誤差（如額定變比為1000:1的傳感器，匝數(shù)偏差1匝即產(chǎn)生0.1%誤差）；繞制不均勻會引起磁場分布不均，影響測量一致性。

 

霍爾元件性能：霍爾傳感器的靈敏度溫度系數(shù)（如±0.05%/℃）、偏移電壓等參數(shù)，決定了其在不同溫度下的精度穩(wěn)定性。

 

電路設(shè)計與校準

 

信號調(diào)理電路：放大電路的噪聲水平（如運算放大器的失調(diào)電壓）、濾波電路的截止頻率選擇，會影響微弱信號的提取精度。

 

校準工藝：出廠時是否進行多點溫度補償校準（如-20℃~85℃范圍內(nèi)的分段校準），未校準的傳感器在寬溫環(huán)境下誤差可能增大50%以上。

 

二、外部環(huán)境因素

 

溫度影響

 

磁芯溫度系數(shù)：多數(shù)鐵氧體磁芯的磁導(dǎo)率隨溫度升高而下降，導(dǎo)致感應(yīng)電壓偏差，典型誤差約±0.1%/℃。

 

電子元件溫漂：如采樣電阻的溫度系數(shù)（100ppm/℃即0.01%/℃）、霍爾元件的靈敏度溫漂，會累積成系統(tǒng)性誤差。

 

電磁干擾（EMI）

 

外部磁場耦合：如鄰近大電流線纜產(chǎn)生的交變磁場，會疊加到傳感器的測量磁場上，導(dǎo)致誤差（干擾磁場強度超過10mT時，誤差可能超過1%）。

 

高頻噪聲：開關(guān)電源、變頻器等設(shè)備產(chǎn)生的高頻諧波（如100kHz以上），若未被傳感器濾波電路抑制，會引起測量值波動。

 

機械振動與安裝應(yīng)力

 

磁芯機械形變：劇烈振動可能導(dǎo)致磁芯裂紋或氣隙變化，影響磁路磁阻，進而改變感應(yīng)特性。

 

安裝松動：傳感器與母線接觸不良會產(chǎn)生接觸電阻，導(dǎo)致電流分布不均，尤其在大電流（>1000A）場景下誤差顯著。

 

三、被測電流特性

 

電流類型與頻率

 

直流電流：霍爾傳感器在直流測量時易受剩磁影響（如磁芯未退磁時，零偏誤差可達0.5%）；分流器則受溫升導(dǎo)致的電阻變化影響。

 

交流電流頻率：電磁式電流互感器（CT）在高頻（>10kHz）下因磁芯渦流損耗增加，精度顯著下降（如100kHz時誤差可能從0.1%升至1%）。

 

電流波形與諧波

 

非正弦波：如PWM波形中的高次諧波（3次、5次等）會導(dǎo)致傳感器頻率響應(yīng)不足，產(chǎn)生幅值和相位誤差。

 

瞬態(tài)電流：突變電流（如短路沖擊）可能使磁芯瞬間飽和，導(dǎo)致測量值失真。